Die Application Gallery bietet COMSOL Multiphysics® Tutorial- und Demo-App-Dateien, die für die Bereiche Elektromagnetik, Strukturmechanik, Akustik, Strömung, Wärmetransport und Chemie relevant sind. Sie können diese Beispiele als Ausgangspunkt für Ihre eigene Simulationsarbeit verwenden, indem Sie das Tutorial-Modell oder die Demo-App-Datei und die dazugehörigen Anleitungen herunterladen.
Suchen Sie über die Schnellsuche nach Tutorials und Apps, die für Ihr Fachgebiet relevant sind. Beachten Sie, dass viele der hier vorgestellten Beispiele auch über die Application Libraries zugänglich sind, die in die COMSOL Multiphysics® Software integriert und über das Menü File verfügbar sind.
This model studies the structural deformation of an aircraft fuselage structure subjected to buckling loads. The structure is an assembly of panels and skin connected by rivets. The Fasteners feature sets up a large number of connections and computes the forces acting on each rivet. Mehr lesen
Dieses einfache Modell zeigt, wie Sie die Interfaces Semiconductor Optoelectronics verwenden können, um eine einfache GaAs-PIN-Diodenstruktur zu modellieren. Sowohl die stimulierte als auch die spontane Emission im Halbleiter werden berücksichtigt. Die entsprechende Absorption des Lichts ... Mehr lesen
An electrostatically actuated MEMS resonator is simulated. The device is driven by an AC + DC bias voltage applied across a parallel plate capacitor. In this example, the pull-in and pull-out voltages of the resonator are computed. This is done via a quasi-static analysis of the ... Mehr lesen
With an increase in the parallel component of the applied field, carriers can gain energies above the ambient thermal energy and be able to transfer energy gained by the field to the lattice by optical phonon emission. The latter effect leads to a saturation of the carriers mobility. The ... Mehr lesen
This model calculates the DC characteristics of a simple MOSFET. The drain current versus gate voltage characteristics are first computed in order to determine the threshold voltage for the device. Then the drain current vs drain voltage characteristics are computed for several gate ... Mehr lesen
Dieses Tutorial-Modell verwendet eine Kühlkörpergeometrie aus der Part Library. Das Tutorial zeigt verschiedene Ansätze zur Modellierung des Wärmetransports bei der Untersuchung der Kühlung eines elektronischen Chips. Im ersten Teil werden nur die festen Teile modelliert, während der ... Mehr lesen
This model shows how to set up a 3D simulation of a n-p-n bipolar transistor. It is a 3D version of the device shown in the Bipolar Transistor model, and demonstrates how to extend semiconductor modeling into 3D using COMSOL Multiphysics. As in the 2D version of this model, the device ... Mehr lesen
Surface acoustic phonons and surface roughness have an important effect on the carrier mobility, especially in the thin inversion layer under the gate in MOSFETs. The Lombardi surface mobility model adds surface scattering resulting from these effects to an existing mobility model using ... Mehr lesen
In this second half of a two-part example, a 3D model of a trench-gate IGBT is built by extruding the 2D model from the first half. Unlike the 2D model, now it is possible to arrange the alternating n+ and p+ emitters along the direction of extrusion as in the real device. This more ... Mehr lesen
This tutorial demonstrates how to model the band-to-band tunneling across a p–n junction. The tunneling effect is imitated by defining the User-Defined Recombination domain feature which makes the electrons disappear from the conduction band on the n-side and holes disappear from the ... Mehr lesen