CFD and Thermal Simulation of Ring-Lamp-Heated Epitaxial Equipment
Application ID: 152401
In epitaxial growth processes, the uniformity of temperature distribution and the stability of gas flow within the chamber are critical factors determining film quality. This model demonstrate the CFD and thermal analysis of a ring‑lamp‑heated epitaxial reactor chamber, considering the coupling of carrier gas flow, wafer rotation, and thermal radiation from the halogen lamps. Based on the CFD and heat transfer analysis, the three‑dimensional temperature field, velocity field, and radiative heat flux distribution inside the chamber are obtained, with particular emphasis on the temperature uniformity across the wafer surface and the overall flow pattern.
Dieses Beispiel veranschaulicht Anwendungen diesen Typs, die mit den folgenden Produkten erstellt wurden:
Allerdings können zusätzliche Produkte erforderlich sein, um es vollständig zu definieren und zu modellieren. Weiterhin kann dieses Beispiel auch mit Komponenten aus den folgenden Produktkombinationen definiert und modelliert werden:
- COMSOL Multiphysics® und
- Design Module und
- Heat Transfer Module und
- entweder CFD Module, oder Polymer Flow Module und
- entweder CFD Module, Microfluidics Module, oder Plasma Module
Die Kombination von COMSOL® Produkten, die für die Modellierung Ihrer Anwendung erforderlich ist, hängt von verschiedenen Faktoren ab und kann Randbedingungen, Materialeigenschaften, Physik-Interfaces und Bauteilbibliotheken umfassen. Bestimmte Funktionen können von mehreren Produkten gemeinsam genutzt werden. Um die richtige Produktkombination für Ihre Modellierungsanforderungen zu ermitteln, lesen Sie die Spezifikationstabelle und nutzen Sie eine kostenlose Evaluierungslizenz. Die COMSOL Vertriebs- und Support-Teams stehen Ihnen für alle Fragen zur Verfügung, die Sie diesbezüglich haben.
