Thin-Film Resistance
Application ID: 31
In modeling of transport by diffusion or conduction in thin layers, we often encounter large differences in dimensions of the different domains in a model.
If the modeled structure is a so-called sandwich structure, we can replace the thinnest geometrical layers with a thin layer approximation, provided that the difference in thickness is very large.
This method can be used in many diffusive problems, such as heat and current conduction as well as molecular diffusion. In this model, this technique is used to model a conductive media problem, where a thin film is located between two plates. The thin film approximation model is then compared with the full 3D model.
Dieses Beispiel veranschaulicht Anwendungen diesen Typs, die mit den folgenden Produkten erstellt wurden:
Allerdings können zusätzliche Produkte erforderlich sein, um es vollständig zu definieren und zu modellieren. Weiterhin kann dieses Beispiel auch mit Komponenten aus den folgenden Produktkombinationen definiert und modelliert werden:
Die Kombination von COMSOL® Produkten, die für die Modellierung Ihrer Anwendung erforderlich ist, hängt von verschiedenen Faktoren ab und kann Randbedingungen, Materialeigenschaften, Physik-Interfaces und Bauteilbibliotheken umfassen. Bestimmte Funktionen können von mehreren Produkten gemeinsam genutzt werden. Um die richtige Produktkombination für Ihre Modellierungsanforderungen zu ermitteln, lesen Sie die Spezifikationstabelle und nutzen Sie eine kostenlose Evaluierungslizenz. Die COMSOL Vertriebs- und Support-Teams stehen Ihnen für alle Fragen zur Verfügung, die Sie diesbezüglich haben.