Memristor
Application ID: 141181
This model captures the dynamic resistive switching behavior of an oxide-based memristor. The device features a thin metal oxide layer sandwiched between two metal electrodes. When a voltage is applied, oxygen vacancies within the oxide layer migrate, acting as charge carriers and enabling resistive switching.
The model incorporates key physical phenomena, including oxygen vacancy drift–diffusion, current continuity, and heat transfer, all fully coupled through a multiphysics framework. These interactions are essential to accurately reproduce the device's behavior. Simulation results reveal the characteristic pinched hysteresis curve of memristors, closely aligning with experimental data reported in the literature.
Ref: Kim, Sungho, ShinHyun Choi, and Wei Lu. "Comprehensive physical model of dynamic resistive switching in an oxide memristor." ACS nano 8, no. 3 (2014): 2369-2376.
Dieses Beispiel veranschaulicht Anwendungen diesen Typs, die mit den folgenden Produkten erstellt wurden:
Allerdings können zusätzliche Produkte erforderlich sein, um es vollständig zu definieren und zu modellieren. Weiterhin kann dieses Beispiel auch mit Komponenten aus den folgenden Produktkombinationen definiert und modelliert werden:
- COMSOL Multiphysics® und
- entweder Electric Discharge Module, oder Semiconductor Module
Die Kombination von COMSOL® Produkten, die für die Modellierung Ihrer Anwendung erforderlich ist, hängt von verschiedenen Faktoren ab und kann Randbedingungen, Materialeigenschaften, Physik-Interfaces und Bauteilbibliotheken umfassen. Bestimmte Funktionen können von mehreren Produkten gemeinsam genutzt werden. Um die richtige Produktkombination für Ihre Modellierungsanforderungen zu ermitteln, lesen Sie die Spezifikationstabelle und nutzen Sie eine kostenlose Evaluierungslizenz. Die COMSOL Vertriebs- und Support-Teams stehen Ihnen für alle Fragen zur Verfügung, die Sie diesbezüglich haben.